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                FUJI富士第7代X系列IGBT模块应用手册

                2018-10-29 17:21:32 Westpac Electronics
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                FUJI富士第7代X系列IGBT模块应用手册



                第1章 X系列的基本概念和特征 1-1
                iii

                1. X系列的基本概念 1-2
                2. X系列芯片特征 1-3
                3. X系列封装技术特征 1-7
                4. 额定电流等级提升和模块的小型化 1-11
                5. 模块型号的说明 1-13
                6. 术语和符号 1-14


                2章 使用注意事项 2-1

                1. 最大结温 Tvj, Tvjop 2-2
                2. 短路(过流)保护 2-2
                3. 过压保护和安全工作区 2-3
                4. 并联连接 2-9
                5. 安装指导 2-10


                本章介绍第 7 X 系列 IGBT 模块的基本概念和特征。
                近年来,为了防止化石燃料枯竭和全球变暖, 人们正在追求提高能源利用率和减少二氧化碳排放方面作
                出了努力。 因此, 包括了马达驱动等工业应用,开关电源等民生应用,以及电动汽车和铁路、太阳能发
                电和风力发电等可再生能源应用等,使用功率半导体器件的高效率电力变换装置其适用领域和市场正在
                急速扩大。 在功率半导体器件中,
                IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块具有高速开关、 大功率高效率和容易
                操控的特征,从而使它在其应用领域中不断扩大。
                IGBT 模块在投放市场以来,凭借多项技术创?#29575;?#29616;了更低的损耗以及结构的小型化。这些创新在电力
                变换装置的高效率、小型化、高性价比作出了贡献。然而,
                IGBT 模块尺寸的小型化会导致 IGBT 模块在
                高功率密度时, 结温升高和可靠性?#26723;汀?#20026;了进一步实现模块的小型化和高效率, 除了提高芯片性能,
                创新的封装技术(散热性能和可靠性提高)也变得不可欠缺。 为了满足市场需求, 富士电机开发了新型
                芯片技术和封装技术的第
                7 IGBT 模块「X 系列」。
                ? 更低的变频器损?#27169;?#33455;片技术)
                7 X 系列 IGBT 通过极薄的晶圆制造技术和细小的沟槽门极结构, 使得它在损耗方面的表现比我们
                6 V 系列 IGBT 有了突飞猛进的进步。
                ? 连续运行温度 Tvjop=175℃实现了更高电流输出(封装技术)
                通过使用新开发的封装技术(高散热绝缘基板
                /高耐热硅凝胶/高强度焊锡)和模块构造的优化(绑定线
                ?#26412;?/span>/长度),提高了 X 系列在高温工作时的稳定性和耐久性, 从而将最大连续可操作结温 Tvjop 从原来的
                150℃提高到 175℃。这实现了在保持模块原有尺寸的条件下增加了输出能力。
                ? 额定电流的提升和 IGBT 模块的小型化
                通过以?#31995;?#24615;能提升, 在保持模块尺寸不变的同时扩大了
                X 系列模块的额定电流。
                例)
                1200V EP2 封装(最大额定电流:第 6 代: 50A→ 第 7 代: 75A),这意味着 X 系列的技术使得
                额定电流扩大了
                50%
                从另一个角度来说, 最大额定电流的扩大可以让封装尺寸减小,原来
                75A/1200V 只能使用更大的 EP3
                封装(详见第四章)。 新一代的 IGBT 可以为电力变换装置小型化以及低成本化作出贡献

                如图 1-2 所示是第 6 V 系列和第 7 X 系列的芯片剖面图。第 7 代的 IGBT 芯片结构继承了第 6 V
                系列技术开发的场截止(Field Stop) 结构和沟槽门极结构。第 7 X 系列与第 6 V 系列相比,通过
                用薄晶片减少漂移层的厚度。通过采用这样的薄漂移层,可以在第
                7 X 系列中更进一步?#26723;?IGBT
                片的导通压降。 ?#35805;?#26469;说,漂移层变薄时, 可能会出现关断时的电压振荡及耐压?#26723;停?#20294;通过进一?#25509;?br/>化场截止层,可以抑制电压振荡的同时确保足够的击穿电压以达成芯片的进一步减薄。另外,与第
                6 V
                系列相比,通过使芯片表面的沟槽门极结构的细小化和最优化,可以抑制在导通时 P 通道抽出的空穴,
                通过增加表面的载流子浓度来提高
                IE 效果(Injection Enhanced),大幅度改善了导通压降和关断损耗之
                间的平衡

                X 系列芯片的主要特征
                1. 更薄的漂移层
                - ?#26723;?#23548;通压降
                - ?#26723;?#24320;关损耗
                2. 细小化沟槽门极结构
                - ?#26723;?#23548;通压降
                - ?#26723;?#24320;关损耗
                3. 优化场截止层
                - 抑制电压振荡
                - ?#26723;?#39640;温漏电流

                .1 导通压降和关断损耗之间平衡关系的改善
                1-3 显示了第 7 X 系列和第 6 V 系列 IGBT 芯片输出特性的比较。 如图所示,在额定电流条件
                下,第
                7 X 系列的导通压降(集电极-发射极电压)VCE(sat)?#26723;?#20102;约 0.25V。 通过?#26723;?#23548;通压降,可以
                减小电流流过
                IGBT 时产生的导通损?#27169;?#30005;流×导通压降), 从而可以进一步提高电力变换装置的效率

                2.2 漏电流的改善
                IGBT 在集电极和发射极之间施加反向偏压时的漏电流具有随着温度的升高而增加的特性。由于在这种
                高温下的漏电流发生的损?#27169;?使结温进一步上升,并且随着温度的升高, 进一步增加了漏电流,在这种
                情况下可能会导致热失控损坏。 通过优化了场截止层, 和第
                6 V 系列相比, 第 7 X 系列 IGBT 在高
                温下的漏电流?#26723;?#20102;
                28%,同时?#27493;档?#20102;热失控的风险,从而保证了能够连续工作在 175℃的结温。
                2.3 FWD 反向?#25351;?#29305;性的改善
                7 X 系列 IGBT 模块,不仅改善了 IGBT 芯片的特性,还改善了并联在 IGBT ?#31995;?#20108;极管特性。
                FWDFree Wheeling Diode
                X 系列的 FWD 器件通过减小漂移层的厚度来?#26723;?#27491;向电压(VF)。 然而,通常在二极管的漂移层变薄
                时, 反向?#25351;?#26102;耗尽层容易到达底面, 从而在反向?#25351;?#26102;会发生电压振荡的问题。在
                X 系列的 FWD
                件中,通过优化芯片底面结构,可以抑制反向?#25351;?#36816;行期间耗尽层的?#30001;歟?防止耗尽层到达底面, 从而
                抑制反向?#25351;?#26102;的电压振荡和浪涌电压。图
                1-6 表示了第 7 X 系列和第 6 V 系列的 FWD 的比较特
                性。图
                1-6a)所示,反向?#25351;?#23792;值电流和拖尾电流?#25216;?#23567;了,实现了更加平缓的反向?#25351;?#27874;形。 而图
                1-6b) 则显示了反向?#25351;此?#32791;和正向电压之间平衡关系的改善,与第 6 V 系列相比, 相同的 VF 条件
                下第
                7 X 系列反向?#25351;此?#32791;?#26723;?#20102;约 30%
                ?#35805;?#32780;言,当模块开关时发生的电磁干扰(
                EMI: Electro Magnetic Interference)取决于电压斜率 dv/dt
                将反向?#25351;?#27874;形变软的目的是通过?#26723;?dv/dt 来改善 EMI

                7 X 系列保证连续运行期间的结温 Tvjop=175℃。 为了实现这点, 提高 IGBT 以及 FWD 芯片的效
                率和尺寸是必不可少的。 但是另一方面, 由于芯片小型化而增加的功率密度导致芯片温度的增加, 因此
                可能?#26723;?#22120;件的可靠性。 在第
                7 IGBT 模块中,通过优化模块结构以及新开发的高耐热和高可靠性封
                装解决了这个问题。
                ? 新材?#31995;目?#21457;
                - 高散热陶瓷绝缘基板 ? 散热性、 可靠性提升
                - 高耐热硅凝胶 ? 175℃时保证长期的绝缘性
                - 高强度焊锡 ? ΔTvj 功率循环耐量的提升
                ? 模块结构的优化
                - 绑定线?#26412;?/span>/长度优化 ? ΔTvj 功率循环耐量提升
                3.1 高散热陶瓷绝缘基板开发
                为了改善 IGBT 以及 FWD 芯片的散热性能, 第 7 IGBT 模块减小?#21496;?#32536;基板的热阻, 因为陶瓷绝缘
                基板对芯片与散热片之间的热阻影响最大。 低成本
                Al2O3(氧化铝)、具有高导热性和低热阻的 AlN(氮
                化铝)等?#36824;?#27867;用作绝缘基板的材料。 为了对应近年来的高输出化·小型化的要求, 具有低热阻的
                AlN
                绝缘基板的应用越来越广泛。 然而, 由于基板厚度大,常规的 AlN 绝缘基板具有高刚性。 外壳温度(Tc
                升高时, 施加于基板下焊锡的热应力将增加,从而?#26723;?#21487;靠性。
                如图
                1-7 所示,第 7 X 系列模块, 新开发的绝缘基板的 AlN 陶瓷层比以前系列更薄,并能确保高散
                热·低热阻和长期可靠性。通常来说, 当
                AlN 绝缘层变薄时, 会担心陶瓷绝缘基板的绝缘强度和初始强
                度?#26723;停?#20294;是通过优化陶瓷的烧结条件解决了这些问题。
                3

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